[发明专利]氮化硅只读存储元件的操作方法有效
| 申请号： | 02128250.1 | 申请日： | 2002-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1474449A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘承杰;熊黛良;陈家兴 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化硅只读存储元件的操作方法，是在源/漏极周围提供一具重掺杂的基底。当程序化氮化硅只读存储器时，使用一较正的源极偏压或是一较负的基底偏压，借以增加基底效应而降低作为通道热电子注入程序化的电流。此外，在抹除氮化硅只读存储阵列之前，还施行一预程序化操作，以程序化氮化硅只读存储阵列中的所有存储单元来防止过度抹除。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 只读 存储 元件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅只读存储元件的操作方法，适于操作一氮化硅只读存储元件，该氮化硅只读存储元件包括一源极，一漏极，以及一基底，其中该基底在该源极与该漏极周围具有一增加的掺杂浓度，其特征是，该方法的步骤包括：增加基底效应，以降低所需的一通道热电子注入(CHEI)程序化电流，其中通过改变作用于该栅极、该源极、该漏极与该基底的偏压来增加基底效应；以及于抹除前施行一预程序化，来程序化该氮化硅存储元件中的所有存储单元成为写入的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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