[发明专利]自行对准编码的罩幕式只读存储器的制造方法

摘要

一种自行对准编码的罩幕式只读存储器的制造方法，该方法于基底中形成复数条位线后，于基底上形成复数条字线与位于字线上的复数个第一阻挡墙。接着，于第一阻挡墙、字线之间的间隙形成复数个第二阻挡墙，并定义第一阻挡墙，使第一阻挡墙转为复数个阻挡柱，其中阻挡柱与第二阻挡墙将基底界定出复数个预定编码区。然后，于基底上形成一编码罩幕，此编码罩幕具有复数个编码开口暴露部分预定编码区。进行一编码离子植入步骤，以于编码开口所暴露的预定编码区中形成复数个编码区后，移除编码罩幕。

主权项

1、一种自行对准编码的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：该方法包括：于一基底中形成复数条位线；于该基底上形成一栅极介电层；于该基底上形成一导体层；于该导体层上形成一第一阻挡层；定义该导体层与该第一阻挡层，以形成复数条字线与位于该些字线上的复数个第一阻挡墙；于该些第一阻挡墙、该些字线之间的间隙形成复数个第二阻挡墙；在对应于该些位线上方的该基底上形成一第一光阻图案；以该第一光阻图案为罩幕，蚀刻该些第一阻挡墙，使该些第一阻挡墙转为复数个阻挡柱，其中该些阻挡柱与该些第二阻挡墙将该基底界定出复数个预定编码区；去除该第一光阻图案；于该基底上形成一第二光阻图案，该光阻图案具有复数个编码开口，该些编码开口对应于部分该些预定编码区，且该些编码开口的尺寸大于该些预定编码区的尺寸；以该第二光阻图案以及该些阻挡柱与该些第二阻挡墙为罩幕，进行一编码离子植入步骤，以在该些编码开口所对应的该些预定编码区中形成复数个编码区；去除该第二光阻图案。