[发明专利]一种利用废触体合成SiC14的方法有效
| 申请号： | 02123777.8 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1465524A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张国良;宋贵军;徐永才;魏春梅;乔连成;姜璐;丛柏玉;刘景龙 | 申请（专利权）人： | 中国石油天然气股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/08 | 分类号： | C01B33/08 |
| 代理公司： | 北京市中实友知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 金杰 |
| 地址： | 100011北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用废触体合成SiCl4的方法，以有机硅废触体为原料，与Cl2进行气固相直接法合成反应制备SiCl4，采用SiCl4作为载气参加换热，其中Cl2∶SiCl4=1.76∶1.5～3.0(mol)，控制反应温度为200～450℃，压力为0～0.3MPa，流化气速为0.05～0.12m/s，反应器采用流化床，不添加催化剂，反应易于控制，连续反应时间长，反应在比较低的压力下进行(0－0.3MPa)，Si的转化率大于85％，Cl2转化率大于99％，SiCl4纯度大于90％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 废触体 合成 sic1 sub 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用废触体合成SiCl4的方法，其特征在于：以有机硅废触体为原料，与Cl2进行气固相直接法合成反应制备SiCl4，采用SiCl4作为载气参加换热，其中Cl2∶SiCl4＝1.76∶1.5～3.0(mol)，控制反应温度为200～450℃，压力为0～0.3MPa，流化气速为0.05～0.12m/s，反应器采用流化床。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油天然气股份有限公司，未经中国石油天然气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02123777.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
