[发明专利]电路装置的制造方法无效
申请号: | 02123158.3 | 申请日: | 2002-06-19 |
公开(公告)号: | CN1392602A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧,马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种电路装置的制造方法,使用通过绝缘树脂(2)使第一导电膜(3)和第二导电膜(4)贴合的绝缘树脂片,用第一导电膜(3)形成第一导电配线层(5),用第二导电膜(4)形成第二导电配线层(6),使两者用多层连接手段(12)连接。将半导体元件(7)固定在覆盖第一导电配线层(5)的涂层树脂(8)上,借此用第一导电配线层(5)和第二导电配线层(6)实现多层配线构造,并且由于使形成厚的第二导电膜(4)在模塑后通过蚀刻减薄,而使第二导电配线层(6)也微细图形化。本发明解决了在制造工序中的绝缘树脂片的翘起严重的问题。 | ||
搜索关键词: | 电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括:准备用绝缘树脂粘接第一导电膜和第二导电膜的绝缘树脂片的工序;在上述绝缘树脂片的所希望的位置上形成贯通第一导电膜和上述绝缘树脂的贯通孔,以使上述第二导电膜的里面选择地露出的工序;在上述贯通孔中形成多层连接手段,并使第一导电膜和第二导电膜电连接的工序;通过把上述第一导电膜蚀刻成所希望的图形来形成第一导电配线层的工序;在上述第一导电配线层上电绝缘地固定半导体元件的工序;用密封树脂层被覆上述第一导电配线层和上述半导体元件的工序;在为了使上述第二导电膜全面减薄而蚀刻上述第二导电膜后,通过蚀刻上述第二导电膜形成第二导电配线层的工序;在上述第二导电配线层的所希望位置上形成外部电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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