[发明专利]半导体激光器及其制造方法

摘要

提供一种制造具有大的半值宽度和高的拐点电平的脊峰波导型半导体激光器的方法。首先,脊的振荡波长的有效折射率neff1和在脊的两侧的每一侧上的部分的振荡波长的有效折射率neff2之间的有效折射率差Δn表示为Δn=neff1－neff2,脊宽度表示为W。在这种假设下,在X－Y坐标上(X轴W,Y轴Δn)设置下列三个关系式的常数“a”、“b”、“c”和“d”。第一关系式表示为Δna×W+b,这里“a”和“b”是确定拐点电平的常数。第二关系式表示为W≥c，这里“c”是脊形成时的最小脊宽度确定的常数。第三个关系式表示为Δn≥d,这里“d”是通过所需的半宽度值θpara确定的常数。因此以Δn和W满足上述三个关系式(1)、(2)和(3)的方式设置下列至少其中之一,即绝缘薄膜的种类和厚度、在绝缘薄膜上的电极薄膜的厚度、脊高度、以及上包层的位于脊的两侧的每一侧上的剩余层部分的厚度。

主权项

1.一种脊峰波导型半导体激光器，包括：条形脊，形成在至少上包层的上部分中；以及用作限流层的绝缘薄膜，所说绝缘薄膜形成在所说脊的两个侧表面以及所说上包层的位于所说脊的两侧的部分之上；其特征在于假定所说脊的振荡波长的有效折射率neff1和在所说脊的两侧的每一侧上的部分的振荡波长的有效折射率neff2之间的有效折射率差Δn表示为Δn＝neff1-neff2，脊宽度表示为W。设置以下至少其中之一，即设置所说绝缘薄膜的种类和厚度、在所说绝缘薄膜上的电极薄膜的厚度、脊高度、所说上包层的种类、以及位于所说脊的两侧的每一侧上的所说上包层的剩余层部分的厚度，使得W和Δn的结合处于X-Y坐标轴上的特定Δn-W区域内，在X轴上绘制W(μm)，Y-轴上绘制Δn，限定所说Δn-W区域使得满足下列三个关系式：Δn≤a×W+B(1)(这里“a”和“b”是确定拐点电平的常数)，W≥c(2)(这里“c”是规定所述脊形成时的最小脊宽度的常数)，以及Δn≥d(3)(这里“d”是通过平行于所说激光器的谐荡结构的异质结界面的方向远场图所需的半宽度值θpara确定的常数)。