[发明专利]曝光掩模的图案修正方法和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 02121806.4 | 申请日： | 2002-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1383188A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 桥本耕治;井上壮一;田中聪;臼井聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种曝光掩模的图案修正方法,包括准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下,使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块;以及使用所述修正规则或所述修正模块,在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。还涉及使用上述修正方法的半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 图案 修正 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光掩模的图案修正方法，包括：准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；以及使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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