[发明专利]磁阻元件以及使用该元件的磁性随机访问存储器有效
| 申请号： | 02120599.X | 申请日： | 2002-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1392618A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 西村直树 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻元件以及使用该元件的磁性随机访问存储器，其目的是为了抑制存储层的转换磁场的偏转，作为存储器元件所使用的磁阻元件上的钉轧层的静态磁场产生上述偏转。磁阻元件由顺序固定的垂直于膜表面磁化的第一磁层(1)、绝缘层(N2)以及垂直于膜表面磁化的第二磁层(2)组成。第二磁层(2)的矫顽力大于第一磁层(1)的。基于通过绝缘层(N2)流过第一磁层(1)和第二磁层(2)之间的电流而产生的阻抗依赖于第一磁层(1)和第二磁层(2)之间的相对磁化角而变化。在该磁阻元件中，第二磁层施加到第一磁层(1)上的磁场被设置为小于第一磁层(1)的矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 以及 使用 磁性 随机 访问 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种包括下述结构的磁阻元件：一个垂直于膜平面而磁化的第一磁层和一个垂直于膜平面而磁化的第二磁层和夹在两者之间的一层非磁层，所述第二磁层的矫顽力比第一磁层的矫顽力大，其中第二磁层施加到第一磁层的磁场小于第一磁层的磁化饱和磁场。
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