[发明专利]一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器有效
| 申请号： | 02120387.3 | 申请日： | 2002-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1459869A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐清祥;杨青松;沈士杰 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器，包含有一第一PMOS晶体管及一第二PMOS晶体管串接该第一PMOS晶体管，其中该第一PMOS晶体管及该第二PMOS晶体管形成于一P型衬底的一N型阱上，该第一PMOS晶体管包含有一浮置栅、一第一P+漏极掺杂区及一第一P+源极掺杂区，该第二PMOS晶体管包含有一栅极以及一第二P+源极掺杂区，而该第一PMOS晶体管的该第一P+源极掺杂区同时用来作为该第二PMOS晶体管的一漏极；及一擦除栅极形成于该P型衬底中，并邻接该浮置栅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 多晶 硅可电 擦除 可编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器，包含有：一第一PMOS晶体管及一第二PMOS晶体管串接该第一PMOS晶体管，其中该第一PMOS晶体管及该第二PMOS晶体管形成于一P型衬底的一N型阱上，该第一PMOS晶体管包含有一浮置栅、一第一P+漏极掺杂区及一第一P+源极掺杂区，该第二PMOS晶体管包含有一栅极以及一第二P+源极掺杂区，而该第一PMOS晶体管的该第一P+源极掺杂区同时用来作为该第二PMOS晶体管的一漏极；以及一擦除栅极形成于该P型衬底中，并邻接该浮置栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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