[发明专利]罩幕式只读存储器的结构

摘要

一种罩幕式只读存储器的结构，此结构由基底、栅极、第一掺杂区与第二掺杂区所组成的双扩散源极/漏极区、信道区、编码区、介电层、与字线所构成。其中栅极位于基底上。双扩散源极/漏极区位于栅极两侧的基底中，且第二掺杂区位于第一掺杂区外周的基底中。信道区位于双扩散源极/漏极区之间的基底中。编码区位于信道区两侧与双扩散源极/漏极区交界的基底中。介电层位于双扩散源极/漏极区之上。且字线位于介电层与栅极之上。

主权项

1.一种罩幕式只读存储器的结构，其特征在于：该结构包括：一基底；一栅极，位于该基底上；一双扩散源极/漏极区，位于栅极两侧的该基底中，其中该双扩散源极/漏极区由位于不同深度，且具有不同掺杂浓度的一第一掺杂区与一第二掺杂区所构成；一信道区，位于该双扩散源极/漏极区之间的该基底中；一编码区，位于该信道区两侧与该双扩散源极/漏极区交界的该基底中；一介电层，位于该双扩散源极/漏极区之上；一字线，位于该介电层与该栅极之上。