[发明专利]中空沟槽隔离物及其制造方法有效
| 申请号： | 02118928.5 | 申请日： | 2002-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1455445A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;吴汉明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种中空沟槽隔离物的制造方法，首先，提供一具有硬掩膜(mask)的半导体基底，上述硬掩膜(mask)具有第一宽度的开口。接着，经由上述开口非等向性蚀刻未被上述硬掩膜(mask)覆盖的上述半导体基底以形成第一沟槽。然后，经由上述开口与第一沟槽等向性蚀刻上述半导体基底，以形成一具有第二宽度的第二沟槽，上述第二宽度大于上述第一宽度。再者，在上述半导体基底表面沉积一绝缘材料，以填入上述绝缘材料于上述第二沟槽的底面与侧壁，并且覆盖上述第二沟槽的顶部，其次定义上述绝缘材料以形成一中空沟槽隔离物。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 沟槽 隔离 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中空沟槽隔离物的制造方法，至少包括下列步骤：提供一具有硬掩膜的半导体基底，上述硬掩膜具有第一宽度的开口；经由上述开口非等向性蚀刻未被上述硬掩膜覆盖的上述半导体基底以形成第一沟槽；经由上述开口与第一沟槽等向性蚀刻上述半导体基底，以形成一具有第二宽度的第二沟槽，上述第二宽度大于上述第一宽度；在上述半导体基底表面沉积一绝缘材料，以填入上述绝缘材料于上述第二沟槽的底面与侧壁，并且覆盖上述第二沟槽的顶部；定义上述绝缘材料以形成一中空沟槽隔离物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
