[发明专利]非易失性动态随机存取存储器无效

专利信息
申请号: 02118538.7 申请日: 2002-04-27
公开(公告)号: CN1453853A 公开(公告)日: 2003-11-05
发明(设计)人: 林元泰;沈士杰 申请(专利权)人: 力旺电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8239 分类号: H01L21/8239
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒,魏晓刚
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种非易失性存储器的控制方法,该非易失性存储器包含有多个存储器单元,而每一存储器单元包含有一储存单元,以及一控制单元。该储存单元包含有一浮置栅极用来储存电荷,以及一控制栅极用来接收一操作电压以于一衬底表面产生对应于该浮置栅极内储存的电荷数量的隧道。该控制单元与该储存单元之间具有一寄生电容,而该寄生电容则会依据该隧道的形成而改变。该控制方法为对该控制单元施予一第一预定电压,并测量该第一预定电压藉由电连接该寄生电容所产生的电位变化量来读取该储存单元所储存的数据。
搜索关键词: 非易失性 动态 随机存取存储器
【主权项】:
1.一种非易失性存储器的控制方法,该非易失性存储器包含有多个存储器单元,每一存储器单元包含有:一衬底;一储存单元,设置于该衬底上,用来储存数据,其包含有:一浮置栅极,用来储存电荷;以及一控制栅极,用来接收一操作电压以于该衬底表面产生对应于该浮置栅极内储存的电荷数量的隧道;以及一控制单元,形成于该衬底上,该控制单元与该储存单元之间具有一寄生电容,该寄生电容会根据该隧道的形成而改变;该控制方法包含:对该控制单元施予一第一预定电压,并测量该第一预定电压藉由电连接该寄生电容所产生的电位变化量来读取该储存单元所储存的数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力旺电子股份有限公司,未经力旺电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02118538.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top