[发明专利]微细结构体的干燥方法及通过该方法得到的微细结构体无效
| 申请号： | 02118458.5 | 申请日： | 2002-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1426089A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 川上信之;铃木康平;饭岛胜之;田中丈晴;长濑佳之;增田薰 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触进行干燥的方法。采用本发明的干燥方法，在用液态/超临界二氧化碳处理前，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下使之与二氧化碳接触，从而能够尽可能地抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。另外，包括使用含水溶剂的洗涤工序的情况下，由于其构成为用排水液置换水，再用碳氟化合物系溶剂置换该排水液，因此能够迅速进行采用液态/超临界二氧化碳的干燥之前的工序，也可以抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 结构 干燥 方法 通过 得到 | ||
【主权项】：
1、一种微细结构体的干燥方法，其特征在于，具有以下工序：(3)用碳氟化合物系溶剂覆盖该微细结构体表面的工序；(4)在用碳氟化合物系溶剂覆盖该微细结构体表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
