[发明专利]储存装置内快闪存储器的低阶处理流程及其装置无效
申请号: | 02116150.X | 申请日: | 2002-04-19 |
公开(公告)号: | CN1452070A | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 林晋丞;梁居正;黄意翔;伍汉维 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/36 | 分类号: | G06F11/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李强 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种储存装置内快闪存储器的低阶处理流程及其装置,其储存装置本体内的控制电路中至少设有一控制晶片(ControllerIC)及一个或一个以上的快闪存储器(flashmemory),当上述本体内快闪存储器欲进行使用前的低阶处理时,则可通过本体内设立的控制晶片及其内部预设的固件配合一工作平台来对复数本体内的快闪存储器同时作低阶处理(如快闪存储器的管理、内容的清理、放置分割表等必要程序),以此达到处理快速省时、成本低廉的功效。 | ||
搜索关键词: | 储存 装置 闪存 低阶 处理 流程 及其 | ||
【主权项】:
1.一种储存装置内快闪存储器的低阶处理流程,其特征在于:包括有工作平台及储存装置的本体,而工作平台于线路上为可供应电源至并联方式排列的复数串列汇流排连接口插座的正、负电源端子,并将本体一侧设立的串列汇流排连接口插头对接于工作平台的各串列汇流排连接口插座上,且本体内至少设有控制晶片、未格式化的快闪存储器,而此快闪存储器低阶格式化的动作流程为:(A)将一零欧姆电阻装设于本体内的控制晶片其中一只输入脚上,其控制晶片内部程序起始后便可侦测出该输入脚为低电位,以进行测试与低阶格式化的处理;(B)以控制晶片对快闪存储器作存储容量辨识;(C)将区块做好或坏的辨识、注记及整理;(D)进行填写快闪存储器的资讯架构;(E)将区块数目归零;(F)清除该区块的内容,并于残余区域填写逻辑位置;(G)区块数目加一;(H)由步骤(F)重新进行步骤(F)、(G),至快闪存储器的存储容量小于区块数目后,即开始填写硬盘分割表;(I)完成。
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