[发明专利]钛基复合型薄膜光电极及其制备方法无效
| 申请号: | 02115770.7 | 申请日: | 2002-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN1389932A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
| 发明(设计)人: | 冷文华;张烈华;张鉴清;帅柏春;陆庆忠 | 申请(专利权)人: | 江汉石油钻头股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;B01J21/06;B01J37/00 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 胡建平 |
| 地址: | 433124*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及半导体光电催化技术领域,特别涉及具有可见光响应的复合型薄膜光电极及其制备方法。薄膜光电极包括有钛基底,在于在钛基底上渗覆有钴钌复合掺杂二氧化钛薄膜层,在钴钌复合掺杂二氧化钛薄膜层外再覆有二氧化钛薄膜层。本发明采用溶胶—凝胶法制备薄膜光电极,工艺简单,金属离子掺杂浓度易于调节;光电极最外层由二氧化钛组成,由外往里禁带宽度逐渐变小,有利于不同波段光依次吸收,从而充分扩大了材料的频谱响应范围,并且光电极的性能稳定;在光吸收、光催化、光电转换等一种或几种性能方面大大优于单一的均相金属离子或梯度掺杂。本发明可在太阳能利用、光电转换、光催化降解有机污染物等领域得到有效的应用。 | ||
| 搜索关键词: | 复合型 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种钛基复合型薄膜光电极,包括有钛基底(3),其特征在于在钛基底上渗覆有钴钌复合掺杂二氧化钛薄膜层(2),在钴钌复合掺杂二氧化钛薄膜层外再覆有二氧化钛薄膜层(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江汉石油钻头股份有限公司,未经江汉石油钻头股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02115770.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种辐射式水负载
- 下一篇:一种治疗肝炎的中药提取物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





