[发明专利]操纵碳纳米管选择性取向排布于基底表面的方法无效
| 申请号： | 02111337.8 | 申请日： | 2002-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1164486C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;郭银忠;徐东 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 操纵碳纳米管选择性取向排布于基底表面的方法属于纳米技术领域。本发明方法为：①在溶剂中，通过在每一个碳纳米管上结合带有亲水和疏水端的链状分子，将初始碳纳米管净化和溶液化；②将固态衬底处理成亲水，或进一步处理成疏水；③用Langmuir水槽，控制水表面碳纳米管单分子薄膜表面压力-表面积等温线；④将形成的碳纳米管单层，转移到处理过的固态衬底的亲水表面和疏水表面形成Y-型LB膜，测试碳纳米管取向LB膜在基底表面的选择性沉积；⑤利用高能光线照射碳纳米管单层镀膜。本发明具有实质性特点和显著进步，碳纳米管排列方向可人为控制，有机物分子可成功除去，不会破坏碳纳米管膜本身。 | ||
| 搜索关键词： | 操纵 纳米 选择性 取向 排布 基底 表面 方法 | ||
【主权项】：
1、一种操纵碳纳米管选择性取向排布于基底表面的方法，其特征在于方法具体如下：①在溶剂中，通过在每一个碳纳米管上结合带有亲水和疏水端的链状分子，将初始碳纳米管净化和溶液化；②将固态衬底处理成亲水，或进一步处理成疏水；③用Langmuir水槽，控制水表面碳纳米管单分子薄膜表面压力-表面积等温线；④将形成的碳纳米管单层，转移到处理过的固态衬底的亲水表面和疏水表面形成Y-型LB膜，测试碳纳米管取向LB膜在基底表面的选择性沉积，转移率；⑤利用高能光线照射碳纳米管单层镀膜，一些带有亲水和疏水端的分子离解并从衬底上蒸发，而碳纳米管依然保留在衬底上。
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