[发明专利]金氧半晶体管的自对准硅化物的制备方法

摘要

本发明提供一种金氧半(MOS)晶体管的自对准硅化物的制备方法，本发明是在金氧半晶体管进行自对准硅化处理之前先进行一离子植入步骤，其植入的离子(例如：氟、氯、溴、碘、硼及三氟化硼)会先与硅基底及栅极表面反应，而在硅化过程中产生一阻障效应(barriereffect)，可避免硅金属或是硅化钴渗入栅极或源极/漏极区内部而产生尖峰现象，避免造成金氧半晶体管产生接面漏电或降低其崩溃电压。

主权项

1.一种金氧半晶体管的自对准硅化物的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一硅基底，该硅基底上具有一栅极、位于该栅极二侧方的轻掺杂区域、位于该栅极结构侧壁的间隙壁及场氧化层；进行重掺杂以形成源极/漏极区；沉积一钴金属层以覆盖于该场氧化层、源极/漏极区、间隙壁及栅极的表面上；进行离子植入步骤；及进行一回火过程，使位于源极/漏极区及栅极表面上的钴金属进行反应而形成硅化钴，且去除场氧化层及间隙壁表面上未反应的钴金属。