[发明专利]硅化钨层的形成方法无效
| 申请号： | 02107970.6 | 申请日： | 2002-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1377064A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 元济亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/285;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉,丁业平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅化钨层形成方法,将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中。将硅源气体、钨源气体和用于还原氯原子团的氢化合物气体导入该加工室中,从而在该多晶硅层上沉积硅化钨层。该硅源气体的氯原子团被氢化合物气体还原成氯化氢,并与废气一起除去。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化钨层 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成硅化钨层的方法，包括：将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中；并并将硅源气体、钨源气体和氢化合物气体导入该加工室中，以便在多晶硅层上沉积硅化钨层，其中该硅源气体包含氯，且其中用该氢化合物气体的氢原子团还原该硅源气体的氯原子团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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