[发明专利]微浅绝缘沟槽结构制备法无效
| 申请号： | 02107114.4 | 申请日： | 2002-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1444264A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张世辉;陶君儒;黄怡仁;陈怡如;颜振彬 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微浅绝缘沟槽结构制备法，是揭露利用一控制层(controllayer)除了做为控制DUV微影时的反射强度外(即抗反射层)，并同时可做微浅沟槽/浅绝缘沟槽氧化拴(filledoxideplug)的高度控制层，使得此浅绝缘沟槽氧化拴制备完成后，绝缘层的凸缘表面与是基底的表面至少维持一与控制层厚度相当的高度差，以有效降低角落的电场；此外，平坦化后的热处理可有效降低基底的晶格缺陷及差层，并致密化套衬和绝缘填充氧化层以控制漏电流现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 沟槽 结构 制备 | ||
【主权项】：
1.一种微浅绝缘沟槽结构制备法，至少包括下列步骤：提供一半导体基底；依序形成一抗反射层、一罩幕层于上述基底表面；利用微影蚀刻制程将上述罩幕层形成一罩幕图案；利用上述罩幕图案为遮蔽物，依序蚀刻上述抗反射层、上述基底，以形成复数浅沟槽区；全面性形成一绝缘层于上述基底，以填满上述复数浅沟槽区；平坦化处理，直到露出上述罩幕图案；以及依序除去上述罩幕图案、上述抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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