[发明专利]制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件无效
| 申请号： | 02105694.3 | 申请日： | 2002-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1381875A | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郑佑讚;田真镐;林全植;李钟昇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造绝缘层的方法保证了利用类似制造装置的再现性。该绝缘层是通过以下步骤在衬底上形成的(a)以氧化气体流量流入氧化气体,(b)以第一载气流量流入第一载气,同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质,和(c)以第二载气流量流入第二载气,同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质,和(d)以硅源流量流入硅源材料。第二载气流量高于第一载气流量。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 绝缘 半导体器件 方法 由此 形成 | ||
【主权项】：
1.一种制造绝缘层的方法，包括：通过(a)以氧化气体流量流入用于形成氧化气氛的氧化气体，(b)以第一载气流量流入第一载气，和(c)以第二载气流量流入第二载气，其中第二载气流量高于第一载气流量，由此在处理室中产生用于形成流体绝缘层的处理气氛；和通过(d)以氧化气体流量流入氧化气体，(e)以第一载气流量流入第一载气，同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质，(f)以第二载气流量流入第二载气，同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质，第二载气流量高于第一载气流量，和(g)以硅源流量流入硅源材料，由此在设置在处理室中的衬底上形成流体绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02105694.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
