[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 02103193.2 | 申请日： | 2002-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1437271A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈锡铭;汪信全 | 申请（专利权）人： | 联铨科技股份有限公司;陈锡铭 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高亮度发光二极管，本发明是揭露利用p型磷化镓铟欧姆接触层，或具有1018cm－3以上的n型或p型高掺杂浓度的短周期超晶格薄层做为氧化电极接触层；利用上述以特殊材料构成的氧化电极接触层，经适当调整其中铟成分的组成，可使吸光量减小且p型浓度大幅提高，而提高发光二极管的亮度并减小其顺向电压降；另外，本发明更揭露具有网状或柱状图案的氧化电极接触层，以暴露出部分的电流分散层，在不影响接触电阻及顺向电压的情况下，使吸光的面积减少，进而提高发光二极管的光输出强度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：一基板，该基板的一侧具有一第一电极，且该基板的另一侧具有一布拉格反射镜；一第一局限层位于该布拉格反射镜上；一活性层位于该第一局限层上；一第二局限层位于该活性层上；一电流分散层位于该第二局限层上；一欧姆接触层位于该电流分散层上，其中，该欧姆接触层实质上是由一磷化镓铟材料所构成；一透光导电氧化电极层位于该欧姆接触层上；以及一第二电极位于该透光导电氧化电极层上。
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