[发明专利]在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法

摘要

一种在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法，是提供一具有一介电层的基底，并于介电层上形成具有一开口的图案化罩幕。然后于一蚀刻室中，以图案化罩幕作为蚀刻罩幕，对介电层施行一蚀刻工艺，以于介电层中形成一介层窗洞。随后，于同一蚀刻室中进行氧处理工艺，以去除接近介层窗洞的部分图案化罩幕，而介层窗洞仍保持其轮廓。接着，于同一蚀刻室中，以剩余的图案化罩幕作为蚀刻罩幕，对介电层施行一蚀刻工艺，以扩大介层窗洞的上部。因此可于同一蚀刻室中完成介层窗蚀刻工艺，以节省工艺时间。

主权项

1.一种在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法，其特征为：包括：提供一基底，于该基底上已依序形成有一介电层与一图案化罩幕；以该图案化罩幕为罩幕，于一蚀刻室中非等向性蚀刻该介电层，以形成一介层窗洞；于该蚀刻室中撤移部分该图案化罩幕中紧邻该介层窗洞的部分，且该介层窗洞的轮廓仍维持不变；以及以剩余的该图案化罩幕为罩幕，于该蚀刻室中蚀刻该介层窗洞上部的该介电层。