[发明专利]快速程序对程序验证的方法无效
| 申请号： | 02103179.7 | 申请日： | 2002-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1437245A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 大仓世纪;大仓智子 | 申请（专利权）人： | 哈娄利公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明中，描述了一种程序对程序验证的新颖方法，即转换存储器单元的临界电压，且然后以最小位元线及控制闸极线的充电及放电测量临界电压，位元线到控制闸极线的电容亦可使用于降低所需的电压参考数，借由使用一负载组件耦合到源极扩散区，而降低程序化电流，此结果为增加程序频宽，及降低高电压充电泵电流消耗，以增加程序化。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 程序 验证 方法 | ||
【主权项】：
1.一种程序化一双储存区MONOS存储器单元的方法，包括：a)将一汲极扩散区偏压成为一第一高电压；b)将一源极扩散区偏压接地；c)将一未被选取控制闸极偏压成为一第二高电压；d)将一已选取控制闸极偏压成为一第三高电压；及e)将一字闸极偏压成为一低电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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