[发明专利]用于评估多晶硅薄膜的装置无效
| 申请号: | 02102090.6 | 申请日: | 2002-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN1379459A | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
| 发明(设计)人: | 和田裕之;田附幸一;梅津畅彦;矶村英二;阿部哲夫;服部正;大岛朗文;浦垣诚;野口良行;玉置洋之;江部正孝;石黑朋广;加藤康行 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社;索尼精密技术株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 以不接触方式自动客观地评估多晶硅薄膜状态的多晶硅薄膜评估装置包括可移动的工作台,其上面设置承载多晶硅薄膜的基片;用可见光观察的光学系统,对多晶硅薄膜的表面图像拍照,以实现自动聚焦;用紫外光观察的光学系统,用于获得多晶硅薄膜的表面图像,利用用可见光观察的光学系统进行自动聚焦;以及评估单元,从表面图像评估该多晶硅薄膜表面空间结构的线性和周期性,以根据该线性和周期性的评估结果来评估该多晶硅薄膜的状态。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 评估 多晶 薄膜 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于评估在不定形硅薄膜退火过程中形成的多晶硅薄膜的装置,包括:用于放置基片的工作台,所述基片承载形成于其上的多晶硅薄膜;用可见光观察的光学系统,所述光学系统把可见光照射在所述工作台的所述基片上,用于对所述基片上的所述多晶硅薄膜的表面图像进行拍照以实现自动聚焦;用紫外光观察的光学系统,所述光学系统把紫外光照射在该工作台上的基片上,用于获取在所述基片上的所述多晶硅薄膜的表面图像,利用所述用可见光观察的光学系统自动聚焦;以及评估装置,用于从由所述用紫外光观察的光学系统获取的所述多晶硅薄膜的表面图像而评估所述多晶硅薄膜的薄膜表面的空间结构的线性和周期性,以根据所述线性和周期性的评估结果评估该多晶硅薄膜的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





