[发明专利]用于评估多晶硅薄膜的装置无效
| 申请号: | 02102090.6 | 申请日: | 2002-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN1379459A | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
| 发明(设计)人: | 和田裕之;田附幸一;梅津畅彦;矶村英二;阿部哲夫;服部正;大岛朗文;浦垣诚;野口良行;玉置洋之;江部正孝;石黑朋广;加藤康行 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社;索尼精密技术株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 评估 多晶 薄膜 装置 | ||
1.一种用于评估在不定形硅薄膜退火过程中形成的多晶硅薄膜的装置,包括:
用于放置基片的工作台,所述基片承载形成于其上的多晶硅薄膜;
用可见光观察的光学系统,所述光学系统把可见光照射在所述工作台的所述基片上,用于对所述基片上的所述多晶硅薄膜的表面图像进行拍照以实现自动聚焦;
用紫外光观察的光学系统,所述光学系统把紫外光照射在该工作台上的基片上,用于获取在所述基片上的所述多晶硅薄膜的表面图像,利用所述用可见光观察的光学系统自动聚焦;以及
评估装置,用于从由所述用紫外光观察的光学系统获取的所述多晶硅薄膜的表面图像而评估所述多晶硅薄膜的薄膜表面的空间结构的线性和周期性,以根据所述线性和周期性的评估结果评估该多晶硅薄膜的状态。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜评估装置,其中所述紫外光的波长比所述多晶硅薄膜的评估周期乘以在所述光学系统中用于观察的物镜的数值孔径。
3.根据权利要求1或2所述的多晶硅薄膜评估装置,其中所述工作台可以在第一状态和第二状态之间切换,在第一状态中,所述工作台通过用于防止所述工作台的碰撞的防振装置安装在支架上,使得该所述防振装置能够防止振荡,以及在第二状态中,所述工作台固定到所述支架上,使得所述防振装置停止工作。
4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的多晶硅薄膜评估装置,其中所述用可见光观察的以及所述用紫外光观察的光学系统被形成为一个整体单元。
5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜评估装置,其中所述单元可拆卸地安装在装有所述工作台的该装置的主体单元的上部。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的多晶硅薄膜评估装置,进一步包括:
可旋转的旋转装置,其上整体承载所述用可见光观察的光学系统的用于可见光的物镜和所述用紫外光观察的光学系统的用于紫外光的物镜,其中所述用于可见光的物镜以及所述用于紫外光的物镜的使用状态在所述旋转装置的旋转操作中切换。
7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜评估装置,进一步包括:
光量控制装置,用于控制至少所述用可见光观察的光学系统和所述用紫外光观察的光学系统中的一个的照明光的亮度;
所述光量控制装置包括用于反射照明光的反射镜,用于监控照明光的亮度;以及
所述反射镜提供在所述旋转装置的一个空缺区域中。
8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的多晶硅薄膜评估装置,其中所述工作台可沿着相互垂直的3个轴运动,即沿着X、Y和Z轴运动;
沿着所述工作台的Z轴方向的上限位置被设置为XY坐标的函数,以适应所述工作台的XY平面的平整度。
9.根据权利要求1至8中的任何一项所述的多晶硅薄膜评估装置,其中所述评估装置通过所述用紫外光观察的光学系统,用不同的聚焦数值捕获所述多晶硅薄膜的多个表面图像,以获得最佳聚焦的图像;以及其中所述评估装置具有随着评估操作次数的增加而用所捕获的较少数目的图像来获得最佳聚焦的图像这样的学习功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





