[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置无效
| 申请号： | 01820349.3 | 申请日： | 2001-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1479805A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 山﨑英亮;河野有美子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用ALD法的薄膜形成方法及薄膜形成装置，通过ALD法将多种原料气体逐类、并经多次供应，进行成膜，在此工序之前，实施同时提供多种原料气体的前置处理，从而使得成膜中的潜伏期缩短并提高产率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成方法，在基片上反应多种原料气体，从而在该基片上形成薄膜，其特征在于，具有：同时提供所述多种原料气体的工序；以及在实施该工序后，通过将所述多种原料气体逐类、并经多次供应，从而形成膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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