[发明专利]图样化的埋入绝缘体有效
| 申请号： | 01820212.8 | 申请日： | 2001-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1479943A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | B·A·陈;A·赫希;S·K·艾耶;N·罗维多;H·J·沃恩;张英 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;罗朋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种图样化的埋入绝缘体在源极及漏极之下形成，其方式为在本体面积上形成一掩模及注入n或p型离子于源极及漏极之形成面积中，之后蚀刻STI及蚀刻掉注入面积。随后，在STI及在蚀刻面积中以共形氧化沉积实施光氧化，因此仅在所希望之处构成埋入之氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 图样 埋入 绝缘体 | ||
【主权项】：
1.一种方法用以构成一集成电路，包含下列步骤：准备一具有基板表面之半导体基板；以掺杂剂种类在该基板中注入一组源极/漏极面积以形成一组埋入之掺杂区域；在该埋入掺杂区域蚀刻STI孔隙，因而限定晶体管区域及曝露在该STI孔隙之壁中之该埋入掺杂区域之一表面；在等向蚀刻中蚀刻该组埋入掺杂区域以构成埋入之空腔；以一STI绝缘体共形填充该STI孔隙及该埋入空腔；构成具有配置在该埋入空腔上方之源极和漏极之晶体管；及连接该晶体管以构成该集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
