[发明专利]表面金属污染的检测方法无效
| 申请号： | 01820190.3 | 申请日： | 2001-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1479944A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 维克托·希格斯 | 申请（专利权）人： | AOTI营运有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/64;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种在半导体或硅结构中检测表面金属污染或接近表面金属污染的方法，其中，将所述结构或结构的一部分暴露于一预定波长的激发光束中，并以PL图的形式收集从结构中发出的光，由半导体提供的PL图其光亮度基本上是均匀一致的；检查PL图中光强度增强的一个或多个区域以找出表面金属污染或接近表面金属污染。该方法可特别应用于在制产品质量控制或对如同互连之类的加工好的结构进行质量控制。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 金属 污染 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测半导体或硅结构中表面或接近表面金属污染的方法，该方法包括以下步骤：将所述结构或结构的一部分暴露于一预定波长的激发束中，并以PL图的形式从所述结构中收集它发出的光，其特征在于，半导体提供一大致均匀的PL亮度；半导体所提供的PL光强度基本上是均匀的，从而可通过图中一个或多个光增强的区域识别出表面或近表面处的金属污染。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
