[发明专利]发光组件及其制造方法、可见光发光装置无效
| 申请号： | 01819811.2 | 申请日： | 2001-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1478306A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也;山田雅人 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/365 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的发光组件(1)，具有由p型被覆层(2)、活性层(33)以及n型被覆层(34)依这一顺序叠层而得到的发光层部，且p型被覆层(2)由p型MgxZn1－xO(其中，0＜x≤1)层构成。再者，利用MOVPE法形成该层，这样可有效地抑制成膜中氧缺损的发生，得到具有良好特性的p型MgxZn1－xO层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 组件 及其 制造 方法 可见光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光组件，其特征在于，具有由n型被覆层、活性层以及p型被覆层依此顺序叠层的发光层部，且所述p型被覆层由p型MgxZn1-xO层构成，0＜x≤1。
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