[发明专利]埋入式垂直动态随机存储器单元及双工作功能逻辑门

摘要

本发明涉及埋入式垂直动态随机存储器单元及双工作功能逻辑门。一种产生极高密度埋入式DRAM/极高性能逻辑结构的工艺，包括制造具有自我对准硅化的源极/漏极的垂直MOSFET DRAM单元以及支撑中的栅极导体双工作功能MOSFETs。

主权项

1.一种形成一个记忆阵列及支撑晶体管的方法，包括：在具有一个栅极氧化物层、一个多晶硅层、以及沉积于其上的一个上部介电氮化物层的一个硅基底内形成一个沟槽电容；施加一个具有图案的罩幕于该阵列及支撑区域上，并于该氮化物层、该多晶硅层、以及浅沟槽隔离区域中形成凹陷；在该氮化物层、该多晶硅层、以及浅沟槽隔离区域中的所述凹陷中形成一个硅化物和一个氧化物帽；施加一个区块罩幕以保护该支撑，而将该氮化物层自该阵列移除并蚀刻该暴露的多晶硅层至该栅极氧化物层的顶部；从该支撑区域移除该氮化物层并沉积一个多晶硅层于该阵列及支撑区域之上；施加一罩幕以形成图案并形成该阵列中的一个位线扩散栓登陆焊点以及该支撑晶体管用的栅极导体；自我对准硅化该登陆焊点及该栅极导体的上部；施加一个中间层氧化物且随后打开建立导电联机信道用的该中间层氧化物中的穿孔。