[发明专利]清除由形成通孔的处理所产生的蚀刻残余物的方法无效
申请号: | 01819582.2 | 申请日: | 2001-11-06 |
公开(公告)号: | CN1526161A | 公开(公告)日: | 2004-09-01 |
发明(设计)人: | 善·T·谷燕;瓦伦丁·小麦迪纳;道格拉斯·J·多普 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李强 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 利用不需要使用液体化学溶剂而且不在通孔内产生过量电荷累积的方法,清除由形成通孔的处理所产生的蚀刻残余物。一个步骤是使用碳氟化合物和氧气。利用微波和RF激发这些气体。另一个步骤是,除了这两种气体之外,引入也被微波和RF激发的氩气。其效果是清除趋向于粘附在通孔之上的表面上的任意附加残余物,而且还可以完成清除通孔内的蚀刻残余物。附加步骤是简单应用去电离水以清除经过上述两个步骤残留的、高水溶性的任何氟化残余物。 | ||
搜索关键词: | 清除 形成 处理 产生 蚀刻 残余物 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于清除由形成通过绝缘材料的通孔的处理所产生的蚀刻残余物的方法,该方法包括对蚀刻残余物和通孔施加气体的步骤,其中利用RF源激发该气体,而且该气体包括碳氟化合物和氧气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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