[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 01818886.9 | 申请日： | 2001-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1633717A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | R·沃思 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种发光二极管(1)在一个有源层(3)上面具有一个窗口层(4)，该窗口层具有锯齿状异形结构的耦合输出桥(6)，在耦合输出桥(6)上方延伸有边缘导线(11)，通过这些导线将电流注入到有源层(3)中。发光二极管(1)的特征在于耦合输出效率特别高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，带有一个发射光子的有源层(3)和一个至少可透过所发射光子中的一部分的窗口层(4)，在该窗口层上有一个电触点用于将电流馈入到有源层(3)中，其特征在于，窗口层具有一个纵向延伸的耦合输出桥(6)，在该耦合输出桥上有一条纵向延伸的接触导线(11，19)，耦合输出桥具有至少一个沿着接触导线(11，19)延伸的侧面(12)，该侧面用横向于接触导线(11，19)延伸的突出部分(13)作成异形结构。
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