[发明专利]在衬底中的大高宽比部件的蚀刻无效
| 申请号： | 01817958.4 | 申请日： | 2001-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1471727A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | A·库玛尔;A·卡恩;A·奥耶;R·韦登斯韦勒;A·库玛尔;M·G·查芬;A·霍洛坚科;D·V·波德勒斯尼克 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种衬底处理室(110)包括：一个气体供给装置(56)用以向该室提供气体，能够被电偏置的第一和第二电极(115、105)，适合于激励气体，第二电极(115)适合充电到至少10瓦/厘米2的功率密度，并且第二电极(115)包括接一接纳表面(147)用以接纳衬底(10)，还包括一个排气装置(110)以排出气体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 中的 大高宽 部件 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理室包括：一个气体供给装置以向该室提供气体；可以被电偏置以激励气体的第一和第二电极，第二电极适合于被充电到至少大约10瓦/厘米2的功率密度，并且第二电极包括一接纳表面以接纳衬底；一个排气装置以排除气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
