[发明专利]利用等离子体处理室中的单频率RF功率处理晶片的系统、设备和方法有效
| 申请号： | 01816862.0 | 申请日： | 2001-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1468440A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | A·库蒂;A·费舍尔 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用单一频率的RF功率在等离子体处理室中处理晶片的系统、设备和方法。等离子体处理系统包括调制RF功率发生器、等离子体处理室和匹配网络。设置调制RF功率发生器以便产生经调制的RF功率。设置等离子体处理室以便接收处理晶片的经调制的RF功率，等离子体处理室的特征在于在等离子体处理期间的内阻抗。等离子体处理室包括在具有静电吸盘的位置处支撑晶片的静电吸盘，静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极。等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极。经调制的RF功率产生处理晶片的等离子体和离子轰击能量。在调制RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合匹配网络以便接收经调制的RF功率并将其从调制RF功率发生器传输到等离子体处理室。匹配网络还构成以至使调制RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的内阻抗相匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 处理 中的 频率 rf 功率 晶片 系统 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.利用单一频率的RF功率来处理晶片的等离子体处理系统，包括：配置成产生经调制的RF功率的经调制RF功率发生器；等离子体处理室，设置成接收用于处理晶片的经调制的RF功率，等离子体处理室的特征在于在等离子体处理期间的内阻抗，等离子体处理室包括用于将晶片固定在其位置的静电吸盘，静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极，并且等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极，其中响应经调制的RF功率产生用于处理晶片的等离子体和离子轰击能量；以及在经调制的RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合的匹配网络，以从经调制的RF功率发生器接收经调制的RF功率并将其传输到等离子体处理室，进一步配置匹配网络以便使经调制的RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的内阻抗相匹配。
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