[发明专利]薄膜结构体的制造方法有效
| 申请号： | 01816135.9 | 申请日： | 2001-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1462482A | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 奥村美香;堀川牧夫;石桥清志;西上武文 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/306;G01P15/125 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安;杨松龄 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及采用半导体加工技术形成薄膜结构体的制造方法，其目的是，提供一种能够减小热收缩时腐蚀膜与基板之间所产生的应力差的薄膜结构体的制造方法。为实现上述目的，在该薄膜结构体的制造方法中，形成于基板(1)上的腐蚀膜(51)由磷浓度设定为大于3mol％而小于4mol％的值的PSG膜形成。对于腐蚀膜(51)，在其上形成薄膜层(53)，在使该薄膜层(53)形成图案之后，通过腐蚀处理将其除去。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜结构体的制造方法，所述薄膜结构体具有基板(1)，以及在形成于所说基板上的腐蚀膜(51)上所形成的、通过将所说腐蚀膜除去而与所说基板相隔既定间隔配置的薄膜体(21、23、25)，其特征是，所说腐蚀膜由以大于3mol％的浓度值混入磷的氧化硅膜形成。
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