[发明专利]集成电路浅沟槽隔离方法

摘要

一种加工被置于基片加工腔室内的硅基片的方法，其包括把该基片送入加工腔室。该基片上有硬掩膜和位于硬掩膜之上，成图案的光刻胶以暴露部分硬掩膜。该类型的腔室有电源系统和偏压源系统。该方法还包含蚀刻硬掩膜的暴露部分以暴露硬掩膜下面的部分硅基片。然后，成图案的光刻胶被暴露于由第一工作气体形成的第一等离子体中以除去硬掩膜上的光刻胶。然后，暴露的硅基片通过暴露于由第二工作气体形成的第二等离子体中，通过从电源系统施加RF能量并施加偏压使该等离子体偏向基片而被蚀刻。基片被送出基片加工腔室。

主权项

1.一种加工硅基片的方法，该硅基片被置于有电源系统和偏压源系统的基片加工腔室内，所述方法包括：在所述基片加工腔室内部提供所述基片，该基片上有硬掩膜且硬掩膜之上有成图案的光刻胶层以暴露部分硬掩膜；蚀刻所述暴露的硬掩膜部分以暴露硬掩膜之下的部分硅基片；然后，暴露所述成图案的光刻胶于由一第一工作气体形成的第一等离子体中以从硬掩膜上除去光刻胶；然后，通过暴露所述基片于由第二工作气体形成的第二等离子体中，通过由电源系统施加RF能量并施加偏压使所述等离子体偏向所述基片，在该暴露的硅基片上蚀刻沟槽；以及把基片转移出基片加工腔室。