[发明专利]基片处理装置及处理方法

摘要

一种基片处理装置，具有处理容器、在所述处理容器中设置为夹着被处理基片而对置的第1及第2处理气体供给口、设置为与第1及第2处理气体流大略正交的切口状的第1及第2排气口。所述的第1及第2排气口在所述第1及第2处理气体供给口处，夹着所述被处理基片相对而置。第1处理气体从所述第1处理气体供给口向所述第1排气口的方向，沿着所述被处理基片表面流动，并吸附到所述被处理基片表面上。然后，第2处理气体从所述第2处理气体供给口向所述第2排气口的方向，沿着所述被处理基片表面流动，所述第2处理气体与先前吸附的第1处理气体分子反应，形成1个分子层的高电介质膜。

主权项

1、一种基片处理装置，其特征在于，它具有：处理容器；设置在所述处理容器中，可保持被处理基片的基片保持台；在所述处理容器中，形成在所述基片保持台的第1侧，对所述基片保持台上的所述被处理基片表面供给第1处理气体的第1处理气体供给装置，其供给气体时，使第1处理气体沿着所述被处理基片表面，从所述第1侧流向与所述第1侧对置的第2侧；所述处理容器中，形成在所述基片保持台的所述第2侧的第1排气口；在所述处理容器中，形成在所述基片保持台的第2侧，对所述基片保持台上的所述被处理基片表面供给第2处理气体的第2处理气体供给装置，其供给气体时，使第2处理气体沿着所述被处理基片表面，从所述第2侧流向所述第1侧；所述处理容器中，形成在所述基片保持台的所述第1侧的第2排气口。