[发明专利]具有氧化物领状体应用的STI的本地和异地腐蚀工艺

摘要

公开了在集成电路结构中腐蚀出沟沟道的一种方法或者工艺。这种集成电路结构可以包括互相邻近的多种不同的组成材料，需要将它们全部腐蚀到一个目标深度。应用第一种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀一种组成材料。应用第二种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀另一种组成材料。这一方法或者工艺来回使用这些腐蚀化学药品，直到达到目标深度。这种倒换技术能够保持不同组成材料的侧面形状。还可以将一种组成材料嵌入在另一种组成材料周围，作为领状体或者其它形状。这种倒换技术还能够调整一种材料相对于另一种材料的高度、深度或者形状。这种倒换步骤能够在本地进行，也可以异地进行。这种倒换技术能够与不同的掩膜材料一起使用，包括集成电路结构上的光致抗蚀剂或者硬掩膜。

主权项

1.将集成电路(IC)结构的一部分腐蚀到一定目标深度的一种方法，这种结构具有一个第一组成材料区域，以及与第一组成材料区域相邻的至少一个第二组成材料区域，该方法包括：(i)应用第一种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第一组成材料区域；(ii)应用第二种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第二组成材料区域；和重复步骤(i)和(ii)，直到达到一定的目标深度，其中通过来回倒换使用这些腐蚀化学药品，保持集成电路结构及其组成材料区域的特定侧面形状。