[发明专利]在圆片面上形成集成电路封装的方法无效
申请号: | 01808425.7 | 申请日: | 2001-04-04 |
公开(公告)号: | CN1426599A | 公开(公告)日: | 2003-06-25 |
发明(设计)人: | K·M·拉姆 | 申请(专利权)人: | 爱特梅尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在圆片面上形成一集成电路封装的方法。该集成电路封装在一最终使用的印刷电路板上占最少量的空间。焊料凸块(30)或导电粘合剂设置在一硅圆片(21)上表面的金属化引线连接焊盘(23)上。一底层填料-熔剂材料(27)沉积在圆片(21)和焊料凸块(30)上。一预制的插入器衬底(31)由一金属电路(34)和一介质基座(32)组成,并具有多个与所述焊料凸块(30)对齐的金属化通孔(38)。将圆片/插入器组件反流或固化以在插入器件层上的电路(34)和圆片上的电路之间形成电连接。焊球(50)然后被置于插入器衬底上的金属焊盘开孔上并将之反流以形成一圆片面BGA衬底。所述圆片面BGA衬底然后被切割为单个BGA芯片封装。 | ||
搜索关键词: | 面上 形成 集成电路 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在圆片面上形成集成电路芯片封装的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供一在其第一表面上设置有多个焊盘的硅圆片;将导电材料沉积在所述多个焊盘上;将底层填料-熔剂材料沉积在圆片的第一表面;将一插入器衬底固定至底层填料-熔剂材料层上以形成一圆片/插入器组件,所述插入器衬底由一介质材料和多个金属迹线或布线组成,所述插入器衬底包括多个与所述多个焊盘中心对准的金属化通孔以及还包括在所述金属布线上面的插入器衬底的表面上的多个开孔;在多个通孔和所述多个焊盘之间形成电连接;通过多个开孔把输入/输出(I/O)互连件连接到插入器衬底的金属化布线上;以及将圆片/插入器组件切割成多个单个集成电路芯片封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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