[发明专利]基体涂覆方法和装置无效
申请号: | 01806083.8 | 申请日: | 2001-03-01 |
公开(公告)号: | CN1411515A | 公开(公告)日: | 2003-04-16 |
发明(设计)人: | B·达尼尔茨克;M·库尔;W·梅尔 | 申请(专利权)人: | 肖特玻璃制造厂 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;H01J37/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 胡强,赵辛 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在用于微波等离子体化学蒸汽淀积法的涂覆反应器(1)中,为每个要涂覆的基体(2)表面设置一个等离子体。要涂覆表面垂直于相应的等离子体传播方向地设置。介电协调元件(4a,b)设置在微波耦合输入点(3)区域内。所述介电协调元件通过改变微波场分布来修正存在于等离子体厚度分布中的不均匀度。 | ||
搜索关键词: | 基体 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.通过微波等离子体化学蒸汽淀积法在一个微波反应器中对特别是弯曲的基体进行一面或多面涂覆的方法,其中耦合输入到微波反应器中的微波功率被选择得大于等于一个阀值,并且调节出一个具有减弱的微波射线渗透性的等离子体并且为各个要涂覆表面使用一种独特的等离子体,该等离子体分别在一个微波耦合输入点被耦合输入并且要涂覆表面是垂直于等离子体传播方向地设置的,其特征在于,把要涂覆的基体表面与各输入点之间的距离调节到大于微波透入等离子体中的渗透深度,通过把一个或多个介电协调元件安置到在微波耦合输入点区域内的微波场中来如此影响微波场分布,即存在于等离子体厚度中的不均匀性得到修正。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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