[发明专利]发射辐射半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01805078.6 | 申请日： | 2001-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1404629A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | D·艾斯塞特;V·赫尔勒;F·科赫恩;M·蒙德布劳德－范格罗;U·斯特劳斯;U·泽赫恩德;J·鮑尔;U·杰科布;E·尼斯奇尔;N·林德;R·塞德梅尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱,张志醒 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明说明一种发射辐射的半导体器件，它具有包含发射辐射有源区(5)的多层结构(4)，和具有包含第一主面(2)和位于该第一主面(2)对面的第二主面(3)的透过辐射的窗口(1)，该窗口与第一主面(2)在多层结构(4)邻界。在窗口(1)中形成至少一个空隙(8)，它首先构成第二主面的深度扩展或构成边缘侧的剥离。窗口(1)或空隙(8)的至少一个侧面至少部少部分地配置接触面(11)。替代地或累积地，器件的至少一个接触面具有多个开口(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、发射辐射的半导体器件，具有包含发射辐射的、有源层(5)的多层结构(4)，和具有透过辐射的窗口(1)，它具有第一主面(2)和位于此第一主面对面的第二主面(3)并且它以第一主面(2)与多层结构(4)邻界，其中窗口(1)为形成对第一主面(2)倾斜延伸的辐射耦合输出面具有至少一个空隙(8)，其特征在于，窗口的和/或空隙的至少一个与第二主面(3)邻界的侧面至少部分地配置第一接触面(11)。
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