[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 01804799.8 | 申请日： | 2001-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1398430A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 珈玛尔·拉丹尼;拉文德兰斯·德鲁帕德;林迪·L·西尔特;科特·W·埃森贝瑟 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/8258 | 分类号： | H01L21/8258;H01S5/026;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过首先在硅晶片(22)上生长调节缓冲层(24)，可以生长化合物半导体材料的高质量外延层，覆盖大硅晶片。调节缓冲层是由氧化硅无定形中间层(28)与硅晶片分开的单晶氧化物层。无定形中间层消除应变，并使得高质量单晶氧化物调节缓冲层能够生长。调节缓冲层与下伏硅晶片和上覆单晶化合物半导体层(26)均为晶格匹配。在调节缓冲层和下伏硅衬底之间的任何晶格失配由无定形界面层来处理。半导体器件可以在单晶化合物半导体层和硅中形成。半导体器件(56、68、78、92)可以在单晶化合物半导体层和硅中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括有第一区和第二区的第一单晶半导体层；至少部分设在所述第一区内的电学半导体元件；覆盖着所述第二区的第二单晶化合物半导体层；以及至少部分设在所述第二单晶化合物半导体层内的第二半导体元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
