[发明专利]双极型晶体管有效

专利信息
申请号: 01804324.0 申请日: 2001-01-24
公开(公告)号: CN1397094A 公开(公告)日: 2003-02-12
发明(设计)人: K·奥芬格;M·蔡勒;J·贝克 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L29/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 郑立柱,张志醒
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种双极型晶体管(10),通过优化布图,使基极-集电极电容和集电极电阻的乘积减小,因此能提高这些重要的晶体管参数。双极型晶体管(10)包括几个发射极元件组成的发射极(E)(22,25,26),几个基极接头(B)(40,41)和几个集电极接头(C)(50)。所述元件按照规定的顺序设置,以形成晶体管布图。根据本发明该发射极(20)有至少一个闭合区(21),该发射极区(21)界定至少一个内部发射极区域(27),它可分成几个子区域(28)。至少一个基极接头(41)设置在发射极内部区域(27)中。至少一个基极接头(40)和集电极接头(50)设置在发射极区(21)的外部。
搜索关键词: 双极型 晶体管
【主权项】:
1.双极型晶体管,包括至少一个由一个或多个发射极元件构成的发射极,一个或多个基极接头和一个或多个集电极接头,该至少一个发射极、至少一个基极接头和至少一个集电极接头按规定的顺序互相连接,组成该晶体管布图,其特征在于,该发射极(20)含有至少一个闭合的发射极区(21),该至少一个发射极区(21)界定至少一个发射极内部区域(27),含有两个或多个基极接头(40,41),至少一个基极接头(41)设置在发射极内部区域(27)的内部,至少一个另外的基极接头(40)和至少一个集电极接头(50)设置在该发射极区(21)的外侧。
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