[发明专利]法拉第旋转器和光衰减器无效
| 申请号： | 01804322.4 | 申请日： | 2001-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1397026A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 后藤正宪;岩冢信治;高山清市 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种法拉第旋转器和使用该法拉第旋转器的光衰减器，其中平行于光轴的一固定磁场和垂直于光轴的一可变磁场同时施加在法拉第元件上，光轴沿柘榴石单晶体的方向个柘榴石单晶体用于形成法拉第元件，并且法拉第元件以如下方式布置一可变磁场施加在这些法拉第元件的其中之一上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，该直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(－1－12)或与其等效的平面；而一可变磁场施加在余下的两个元件上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，该直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(－101)或与其等效的平面。从而改善了光衰减的温度依赖性。另外，法拉第旋转器定位装置改善了偏振依赖性损失。 | ||
| 搜索关键词： | 法拉第旋转 衰减器 | ||
【主权项】：
1.一种法拉第旋转器，其中一磁场施加在法拉第元件上，所述法拉第元件的光轴沿柘榴石单晶体的方向，其特征在于，具有法拉第效应的、厚度大致相同的三个柘榴石单晶体用于形成法拉第元件，并且法拉第元件以如下方式布置：第一磁场施加在这些法拉第元件的其中之一上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，所述直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(-1-12)或与其等效的平面；而第二磁场施加在余下的两个元件上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，所述直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(-101)或与其等效的平面。
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