[发明专利]薄膜晶体管及其制造无效
| 申请号： | 01802066.6 | 申请日： | 2001-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1386301A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | A·J·弗莱维特 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造底栅晶体管的一种方法,包括在栅绝缘体层(22a)上沉积第一微晶硅层(40),并且将微晶硅层暴露于氮等离子体(42),从而形成具有结晶结构的氮化硅。以此方式制成微晶氮化硅多层。在暴露层上再沉积一层微晶硅层,用来构成晶体管的半导体本体(14)。本方法使得晶体管本体的底部具有微晶结构,改善了半导体层的迁移率,甚至在与栅绝缘体层的界面。暴露的氮化硅层成为栅绝缘体层的部件,并且栅绝缘体层与半导体晶体管本体之间的结构性匹配得到了改善,因为这些层是从相同的微晶硅结构延伸来的。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶体管的方法，包括：(i)在绝缘基板上限定一个栅导体；(ii)在栅导体上形成一个栅绝缘体层；(iii)在栅绝缘体层上沉积第一微晶硅层；(iv)将微晶硅层曝露于氮等离子体，从而形成氮化硅，而且基本保持结晶结构；(v)重复步骤(iii)和(iv)以便形成多个的微晶硅层；(vi)在曝露层上再形成一层微晶硅层，以它构成晶体管的半导体本体；以及(vii)在晶体管本体上限定一个源和漏结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
