[发明专利]去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法无效
| 申请号： | 01144814.8 | 申请日： | 2001-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1428823A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴敬斌;李宏文;黄司丞;连楠梓;刘信成 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法，用来消除残留聚合物在晶片表面的回沾，造成品管检验时不良率过高及焊接工艺不良率过高的情况得以改善。该去除焊垫窗口形成后的残留聚合物的方法，焊垫窗口是蚀刻晶片的保护层而得，包含：以湿式去除工艺，去除该保护层上形成的蚀刻后聚合物；以干式去除工艺，去除该保护层上的残留聚合物并降低焊垫表面的氟浓度；及清洗该晶片。经过多次实际测试，使用本发明的方法，可将此种残留聚合物的回沾情况完全消除。本发明是利用交换湿式及干式去除工艺的方法，使得干式去除工艺O2－ashing，不仅对焊垫金属进行保护，还去除了湿式蚀刻形成的残留聚合物，故可在不增加成本的情况下，提高产品的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 窗口 蚀刻 残留 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除焊垫窗口形成后的残留聚合物的方法，其中该些焊垫窗口是蚀刻晶片的保护层而得，该方法至少包含：以湿式去除工艺，去除该保护层上形成的蚀刻后聚合物；以干式去除工艺，去除该保护层上的该些残留聚合物并降低该些焊垫表面的氟浓度；及清洗该晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
