[发明专利]激光辐照装置和激光辐照方法有效
| 申请号： | 01143297.7 | 申请日： | 2001-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1362729A | 公开（公告）日： | 2002-08-07 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;中嶋节男;八木武人;石井干人;西田健一郎;河口纪仁;正木美由纪;芳之内淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所;石川岛播磨重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;G02F1/00;H01S3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置,以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低,而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时,相对于另一个激光延迟一个激光,组合这些激光,并将其辐照在半导体薄膜上,可以实现这个效果。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 辐照 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光辐照装置，包括：脉冲发射固态激光器；将脉冲发射固态激光器所发出的激光分解成多个激光的装置；用于使该多个激光中至少一个激光到辐照表面的光路长度，不同于其他激光到该辐照表面的光路长度的装置；以及组合多个激光的装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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