[发明专利]银基导电防冷焊薄膜无效
申请号: | 01143089.3 | 申请日: | 2001-12-17 |
公开(公告)号: | CN1426870A | 公开(公告)日: | 2003-07-02 |
发明(设计)人: | 翁立军;孙嘉奕;孙晓军;李陇旭;汪晓萍;胡明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | B23K35/22 | 分类号: | B23K35/22 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明涉及一种银基导电防冷焊薄膜。它的重量百分比组成为:二硫化钼5-15%、氟化镧0.1-4%、余量为银。本发明采用双离子束溅射方法成膜,具有较低的电阻率、较好的防止真空冷焊特性并与基体具有良好的结合强度。 | ||
搜索关键词: | 导电 冷焊 薄膜 | ||
【主权项】:
1、一种银基导电防冷焊薄膜,其特征在于重量百分比组成为:二硫化钼5-15%、氟化镧0.1-4%、余量为银。
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