[发明专利]III－V氮化物半导体激光器件无效
| 申请号： | 01141826.5 | 申请日： | 2001-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1347178A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 园部雅之;木村义则;渡边温 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司;先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种III－V氮化物半导体激光器件,包括n侧AlGaN包覆层;n侧波导层;激活层;p侧波导层;和p侧AlGaN包覆层,其中,p侧波导层的折射率比所述n侧波导层的折射率更大。这种III－V氮化物半导体激光器件具有优良的发射特性,而不会增加生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种III-V氮化物半导体激光器件，包括：n侧AlGaN包覆层；n侧波导层；激活层；p侧波导层；和p侧AlGaN包覆层，其中，p侧波导层的折射率比所述n侧波导层的折射率更大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司;先锋株式会社，未经罗姆股份有限公司;先锋株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01141826.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：盘设备
- 下一篇：用于控制自由空间光通信系统中接收功率级的方法和装置
