[发明专利]薄膜半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 01141002.7 | 申请日： | 2001-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1338770A | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 宫坂光敏;时冈秀忠;小川哲也 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用比较低的温度制造优良的多晶薄膜半导体器件。在形成非晶半导体膜后,在固相状态使其结晶,其后,照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大的脉冲激光,使半导体膜的一部分熔化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体器件制造方法，把以在衬底上形成的硅(Si)为主体的结晶性半导体膜作为有源层使用，其特征是，包括以下工序：形成半导体膜，在衬底上堆积以硅(Si)为主体的非晶半导体膜；固相结晶，以固相状态使该非晶半导体膜结晶得到固相生长半导体膜；光照射，在该固相生长半导体膜上照射脉冲激光，获得结晶性半导体膜；该脉冲激光波长为370nm～710nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
