[发明专利]堆迭式闸极快闪记忆元件

摘要

一种堆迭式闸极快闪记忆元件，它是形成在－P－淡掺杂的硅基底上，在此基底上形成有隧穿氧化层。在隧穿氧化层上形成有堆迭闸极，包括浮置闸极、闸极间介电层和控制闸极。堆迭闸极在浮置闸极、闸极间介电层和控制闸极的边缘具有侧壁。具有一源极线介于堆迭闸极之间，且此源极线的表面高度低于堆迭闸极的高度，当源极线开口发生对准失误而曝露出控制闸极时，此种凹入式的源极线可以避免源极线与控制闸极之间发生短路，具有提高元件优良率及增加元件可靠度的功效。

主权项

1、一种堆迭式闸极快闪记忆元件，其特征是：它包括隧穿氧化层设于半导体基底上；堆迭闸极阵列设于该隧穿氧化层上，该堆迭闸极包括一浮置闸极于该隧穿氧化层上、闸极间介电层于该浮置闸极上及控制闸极于该闸极间介电层上；交替排列的源极/汲极区设于该堆迭闸极之间；第一介电层覆于该堆迭闸极与基底上，该第一介电层具有一源极线开口通到该源极区；源极线将该源极线开口填满部分与该源极区形威接触，该源极线是设置于该堆迭闸极之间，且其表面高度低于该堆迭闸极；第二介电层覆于该源极线与该第一介电层上，该第二介电层具有一栓塞开口通到该汲极区；汲极金属栓塞填入该栓塞开口与该汲极形成接触；金属位线设于该第二介电层上，与该汲极金属栓塞形成接触。